Vishay Siliconix - SIJA58ADP-T1-GE3

KEY Part #: K6397571

SIJA58ADP-T1-GE3 Цены (доллары США) [200792шт сток]

  • 1 pcs$0.18421

номер части:
SIJA58ADP-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CHAN 40-V POWERPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - Выпрямители - Массивы and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIJA58ADP-T1-GE3 electronic components. SIJA58ADP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIJA58ADP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIJA58ADP-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIJA58ADP-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CHAN 40-V POWERPAK SO-8
Серии : TrenchFET® Gen IV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (Макс) : +20V, -16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3030pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FCD2250N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.

  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.