Microsemi Corporation - APT50GN120L2DQ2G

KEY Part #: K6422638

APT50GN120L2DQ2G Цены (доллары США) [4911шт сток]

  • 1 pcs$8.82123
  • 10 pcs$7.62719
  • 25 pcs$7.05525
  • 100 pcs$6.48327
  • 250 pcs$5.91120

номер части:
APT50GN120L2DQ2G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 1200V 134A 543W TO264.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов, Диоды - РФ and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT50GN120L2DQ2G electronic components. APT50GN120L2DQ2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT50GN120L2DQ2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GN120L2DQ2G Атрибуты продукта

номер части : APT50GN120L2DQ2G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 1200V 134A 543W TO264
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : NPT, Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 134A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 150A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Мощность - Макс : 543W
Энергия переключения : 4495µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 315nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 28ns/320ns
Условия испытаний : 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : -
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-264-3, TO-264AA
Комплект поставки устройства : -

Вы также можете быть заинтересованы в