[3152шт сток]
- номер части:
- JAN1N6629U
- производитель:
- Microsemi Corporation
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF.
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6629U electronic components. JAN1N6629U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6629U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JAN1N6629U Атрибуты продукта
номер части :
JAN1N6629U
производитель :
Microsemi Corporation
Описание :
DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF
Серии :
Military, MIL-PRF-19500/590
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1.4A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.4V @ 1.4A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
50ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
2µA @ 800V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SQ-MELF, E
Комплект поставки устройства :
D-5B
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
Горячие части
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08