Toshiba Semiconductor and Storage - TPCP8J01(TE85L,F,M

KEY Part #: K6421007

TPCP8J01(TE85L,F,M Цены (доллары США) [322487шт сток]

  • 1 pcs$0.11469

номер части:
TPCP8J01(TE85L,F,M
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8J01(TE85L,F,M electronic components. TPCP8J01(TE85L,F,M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCP8J01(TE85L,F,M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPCP8J01(TE85L,F,M Атрибуты продукта

номер части : TPCP8J01(TE85L,F,M
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 32V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1760pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.14W (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PS-8
Пакет / Дело : 8-SMD, Flat Lead

Вы также можете быть заинтересованы в