Infineon Technologies - IPA50R500CEXKSA2

KEY Part #: K6419922

IPA50R500CEXKSA2 Цены (доллары США) [144683шт сток]

  • 1 pcs$0.25564
  • 500 pcs$0.21499

номер части:
IPA50R500CEXKSA2
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPA50R500CEXKSA2 electronic components. IPA50R500CEXKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA50R500CEXKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA50R500CEXKSA2 Атрибуты продукта

номер части : IPA50R500CEXKSA2
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP
Серии : CoolMOS™ CE
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 18.7nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 433pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 28W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220 Full Pack
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в