Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретные полупроводниковые изделия
  4. Модули питания драйверов
  5. GHIS080A120S1-E1

Global Power Technologies Group - GHIS080A120S1-E1

KEY Part #: K6531752

GHIS080A120S1-E1 Цены (доллары США) [1633шт сток]

  • 1 pcs$26.52187
  • 10 pcs$25.49077
номер части:
GHIS080A120S1-E1
производитель:
Global Power Technologies Group
Подробное описание:
SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Global Power Technologies Group GHIS080A120S1-E1 electronic components. GHIS080A120S1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHIS080A120S1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS080A120S1-E1 Атрибуты продукта

номер части : GHIS080A120S1-E1
производитель : Global Power Technologies Group
Описание : SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип : IGBT
конфигурация : 1 Phase
Текущий : 160A
вольтаж : 1.2kV
Напряжение - Изоляция : 2500Vrms
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Последние новости

Global Specialties DSC-5300 Digital Storage Oscilloscope (DSO)
Global Specialties 1415 Dual Output DC Power Supply
Вы также можете быть заинтересованы в
  • DZ23C6V2-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23. Zener Diodes 6.2Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C8V2-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23. Zener Diodes 8.2Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C6V8-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 6.8V 300MW SOT23. Zener Diodes 6.8Volt 0.3 Watt 5%

  • AZ23C20-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 20V 300MW SOT23. Zener Diodes 20 Volt 0.3W 5% CA

  • DZ23C3V6-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 3.6V 300MW SOT23. Zener Diodes 3.6Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C7V5-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23. Zener Diodes 7.5Volt 0.3 Watt 5%

Горячие части