Infineon Technologies - IPC90R1K0C3X1SA1

KEY Part #: K6401289

IPC90R1K0C3X1SA1 Цены (доллары США) [3102шт сток]

  • 11,705 pcs$0.46938

номер части:
IPC90R1K0C3X1SA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH BARE DIE.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPC90R1K0C3X1SA1 electronic components. IPC90R1K0C3X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC90R1K0C3X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC90R1K0C3X1SA1 Атрибуты продукта

номер части : IPC90R1K0C3X1SA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH BARE DIE
Серии : *
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : -
Технология : -
Слив к источнику напряжения (Vdss) : -
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : -
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : -
Комплект поставки устройства : -
Пакет / Дело : -

Вы также можете быть заинтересованы в
  • LND150N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • DN2530N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

  • IRFIBC30GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

  • TPC8048-H(TE12L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.

  • SI4628DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC.

  • IRF720SPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK.