ON Semiconductor - FCA20N60-F109

KEY Part #: K6417576

FCA20N60-F109 Цены (доллары США) [34642шт сток]

  • 1 pcs$1.18972

номер части:
FCA20N60-F109
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FCA20N60-F109 electronic components. FCA20N60-F109 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCA20N60-F109, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCA20N60-F109 Атрибуты продукта

номер части : FCA20N60-F109
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
Серии : SuperFET™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3080pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 208W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3PN
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3

Вы также можете быть заинтересованы в