Vishay Siliconix - SIE812DF-T1-E3

KEY Part #: K6417997

SIE812DF-T1-E3 Цены (доллары США) [48253шт сток]

  • 1 pcs$0.81033
  • 3,000 pcs$0.75848

номер части:
SIE812DF-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIE812DF-T1-E3 electronic components. SIE812DF-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIE812DF-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIE812DF-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SIE812DF-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8300pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 10-PolarPAK® (L)
Пакет / Дело : 10-PolarPAK® (L)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • AUIRFR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IPA50R199CPXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3.

  • IRFI7536GPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 103A TO220.