VS-1EFH02HM3/I Цены (доллары США) [792956шт сток]
- 1 pcs$0.04665
- 10,000 pcs$0.04227
- 30,000 pcs$0.03887
- номер части:
- VS-1EFH02HM3/I
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rct 1A 200V
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-1EFH02HM3/I electronic components. VS-1EFH02HM3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-1EFH02HM3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-1EFH02HM3/I Атрибуты продукта
номер части :
VS-1EFH02HM3/I
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Серии :
Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
930mV @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
25ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
2µA @ 200V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-219AB
Комплект поставки устройства :
DO-219AB (SMF)
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
CMDD4448 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode Sgl Switching Diode Sgl
-
BAT42W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM
-
S07G-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 400V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 400 Volt 1.8uS
-
VS-1EFH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rct 1A 200V
-
VS-2EFH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rct 2A 200V
Горячие части
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08