Infineon Technologies - BSC070N10NS5ATMA1

KEY Part #: K6416464

BSC070N10NS5ATMA1 Цены (доллары США) [130799шт сток]

  • 1 pcs$0.28278
  • 5,000 pcs$0.27774

номер части:
BSC070N10NS5ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - одинарные and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSC070N10NS5ATMA1 electronic components. BSC070N10NS5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC070N10NS5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC070N10NS5ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSC070N10NS5ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2700pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.