Microsemi Corporation - APT80GA60LD40

KEY Part #: K6422626

APT80GA60LD40 Цены (доллары США) [6475шт сток]

  • 1 pcs$6.36371
  • 10 pcs$5.78639
  • 25 pcs$5.35257
  • 100 pcs$4.91861
  • 250 pcs$4.48462
  • 500 pcs$4.19528

номер части:
APT80GA60LD40
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 600V 143A 625W TO264.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Модули питания драйверов and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT80GA60LD40 electronic components. APT80GA60LD40 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT80GA60LD40, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT80GA60LD40 Атрибуты продукта

номер части : APT80GA60LD40
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 600V 143A 625W TO264
Серии : POWER MOS 8™
Состояние детали : Active
Тип IGBT : PT
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 143A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 240A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 47A
Мощность - Макс : 625W
Энергия переключения : 840µJ (on), 751µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 230nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 23ns/158ns
Условия испытаний : 400V, 47A, 4.7 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 22ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-264-3, TO-264AA
Комплект поставки устройства : TO-264

Вы также можете быть заинтересованы в