Infineon Technologies - F475R07W2H3B51BPSA1

KEY Part #: K6534568

F475R07W2H3B51BPSA1 Цены (доллары США) [1408шт сток]

  • 1 pcs$30.74305

номер части:
F475R07W2H3B51BPSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies F475R07W2H3B51BPSA1 electronic components. F475R07W2H3B51BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F475R07W2H3B51BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F475R07W2H3B51BPSA1 Атрибуты продукта

номер части : F475R07W2H3B51BPSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 75A
Мощность - Макс : 250W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.55V @ 15V, 37.5A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 4.7nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A1C15S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1.