ON Semiconductor - HGT1S10N120BNST

KEY Part #: K6421773

HGT1S10N120BNST Цены (доллары США) [51869шт сток]

  • 1 pcs$0.96859
  • 800 pcs$0.96377
  • 1,600 pcs$0.81282
  • 2,400 pcs$0.77411

номер части:
HGT1S10N120BNST
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor HGT1S10N120BNST electronic components. HGT1S10N120BNST can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGT1S10N120BNST, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGT1S10N120BNST Атрибуты продукта

номер части : HGT1S10N120BNST
производитель : ON Semiconductor
Описание : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : NPT
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 35A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 80A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Мощность - Макс : 298W
Энергия переключения : 320µJ (on), 800µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 100nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 23ns/165ns
Условия испытаний : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : -
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в