номер части :
1EDN7511BXUSA1
производитель :
Infineon Technologies
Состояние детали :
Active
Управляемая конфигурация :
Half-Bridge, Low-Side
Тип ворот :
N-Channel, P-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка :
4.5V ~ 20V
Логическое напряжение - VIL, VIH :
1.2V, 1.9V
Ток - Пиковая мощность (источник, раковина) :
4A, 8A
Тип ввода :
Inverting, Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - Макс (Bootstrap) :
-
Время подъема / падения (тип.) :
6.5ns, 4.5ns
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
PG-SOT23-6-2