IXYS - IXTH160N10T

KEY Part #: K6399070

IXTH160N10T Цены (доллары США) [23380шт сток]

  • 1 pcs$1.93908
  • 10 pcs$1.73327
  • 100 pcs$1.42113
  • 500 pcs$1.09173
  • 1,000 pcs$0.92074

номер части:
IXTH160N10T
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 160A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTH160N10T electronic components. IXTH160N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH160N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH160N10T Атрибуты продукта

номер части : IXTH160N10T
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 100V 160A TO-247
Серии : TrenchMV™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 160A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 132nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 430W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247 (IXTH)
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TN0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • VN2410L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • IRFI9520GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP.

  • IRLI640GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP.