Infineon Technologies - IPB65R190CFDAATMA1

KEY Part #: K6417872

IPB65R190CFDAATMA1 Цены (доллары США) [44082шт сток]

  • 1 pcs$0.88700
  • 1,000 pcs$0.87490

номер части:
IPB65R190CFDAATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH TO263-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB65R190CFDAATMA1 electronic components. IPB65R190CFDAATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB65R190CFDAATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB65R190CFDAATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB65R190CFDAATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH TO263-3
Серии : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 17.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1850pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 151W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.