CDBDSC3650-G Цены (доллары США) [57375шт сток]
- 1 pcs$0.68150
- номер части:
- CDBDSC3650-G
- производитель:
- Comchip Technology
- Подробное описание:
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - одинарные and Модули питания драйверов ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Comchip Technology CDBDSC3650-G electronic components. CDBDSC3650-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBDSC3650-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CDBDSC3650-G Атрибуты продукта
номер части :
CDBDSC3650-G
производитель :
Comchip Technology
Описание :
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
650V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
11A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.7V @ 3A
скорость :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
0ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
100µA @ 650V
Емкость @ Vr, F :
181pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства :
D-PAK (TO-252)
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
CDBDSC3650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V
-
CDBDSC51200-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V
-
VS-60APU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins
-
VS-60APU06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp
-
VS-60APH03-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt
-
Горячие части
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54