ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320C-25DBLI-TR

KEY Part #: K937608

IS43DR16320C-25DBLI-TR Цены (доллары США) [17444шт сток]

  • 1 pcs$3.14282
  • 2,500 pcs$3.12718

номер части:
IS43DR16320C-25DBLI-TR
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512Mb, 1.8V, 400MHz 32M x 16 DDR2
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Логика - Защелки, PMIC - моторные драйверы, контроллеры, PMIC - AC DC преобразователи, автономные коммутато, Интерфейс - Запись голоса и воспроизведение, Embedded - PLD (программируемое логическое устройс, Интерфейс - Сериализаторы, Десериализаторы, Clock / Timing - Программируемые таймеры и генерат and PMIC - Управление батареями ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-25DBLI-TR electronic components. IS43DR16320C-25DBLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16320C-25DBLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16320C-25DBLI-TR Атрибуты продукта

номер части : IS43DR16320C-25DBLI-TR
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR2
Размер памяти : 512Mb (32M x 16)
Тактовая частота : 400MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 400ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 84-TFBGA
Комплект поставки устройства : 84-TWBGA (8x12.5)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • S25FS512SAGNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 133MHZ. NOR Flash Nor

  • S29GL512T12DHVV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor