Vishay Siliconix - SI2302CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6417678

SI2302CDS-T1-GE3 Цены (доллары США) [471021шт сток]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

номер части:
SI2302CDS-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI2302CDS-T1-GE3 electronic components. SI2302CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2302CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2302CDS-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI2302CDS-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.6A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 5.5nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 710mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в