STMicroelectronics - STGWT80H65DFB

KEY Part #: K6421767

STGWT80H65DFB Цены (доллары США) [12469шт сток]

  • 1 pcs$3.30525
  • 10 pcs$2.98486
  • 100 pcs$2.47100
  • 500 pcs$2.15172
  • 1,000 pcs$1.87408

номер части:
STGWT80H65DFB
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STGWT80H65DFB electronic components. STGWT80H65DFB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGWT80H65DFB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGWT80H65DFB Атрибуты продукта

номер части : STGWT80H65DFB
производитель : STMicroelectronics
Описание : IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 120A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 240A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 80A
Мощность - Макс : 469W
Энергия переключения : 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 414nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 84ns/280ns
Условия испытаний : 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 85ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3
Комплект поставки устройства : TO-3P

Вы также можете быть заинтересованы в