Infineon Technologies - IPS040N03LGBKMA1

KEY Part #: K6407701

IPS040N03LGBKMA1 Цены (доллары США) [883шт сток]

  • 1 pcs$0.42228
  • 10 pcs$0.37002

номер части:
IPS040N03LGBKMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - JFETs, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPS040N03LGBKMA1 electronic components. IPS040N03LGBKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS040N03LGBKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPS040N03LGBKMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPS040N03LGBKMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3900pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 79W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO251-3
Пакет / Дело : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Вы также можете быть заинтересованы в