Microsemi Corporation - JAN1N4490CUS

KEY Part #: K6479714

JAN1N4490CUS Цены (доллары США) [3839шт сток]

  • 1 pcs$11.28034
  • 100 pcs$10.78989

номер части:
JAN1N4490CUS
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE ZENER 110V 1.5W D-5A. Zener Diodes Zener Diodes
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4490CUS electronic components. JAN1N4490CUS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4490CUS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4490CUS Атрибуты продукта

номер части : JAN1N4490CUS
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE ZENER 110V 1.5W D-5A
Серии : Military, MIL-PRF-19500/406
Состояние детали : Active
Напряжение - стабилитрон (ном.) (Vz) : 110V
Толерантность : ±2%
Мощность - Макс : 1.5W
Импеданс (Макс) (Zzt) : 300 Ohms
Ток - обратная утечка @ Vr : 250nA @ 88V
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 200mA
Рабочая Температура : -65°C ~ 175°C
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SQ-MELF, A
Комплект поставки устройства : D-5A

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA