Infineon Technologies - IPB120N04S402ATMA1

KEY Part #: K6402084

IPB120N04S402ATMA1 Цены (доллары США) [79838шт сток]

  • 1 pcs$0.48975
  • 1,000 pcs$0.44934

номер части:
IPB120N04S402ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB120N04S402ATMA1 electronic components. IPB120N04S402ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB120N04S402ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB120N04S402ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB120N04S402ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 134nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 10740pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 158W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.