Renesas Electronics America Inc. - KGF12N05-400-SP

KEY Part #: K6403871

[2208шт сток]


    номер части:
    KGF12N05-400-SP
    производитель:
    Renesas Electronics America Inc.
    Подробное описание:
    IC MOSFET N-CH.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Renesas Electronics America Inc. KGF12N05-400-SP electronic components. KGF12N05-400-SP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KGF12N05-400-SP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    KGF12N05-400-SP Атрибуты продукта

    номер части : KGF12N05-400-SP
    производитель : Renesas Electronics America Inc.
    Описание : IC MOSFET N-CH
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 5.5V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Ta)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 3.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 12A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 6nC @ 3.5V
    Vgs (Макс) : ±5.5V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 940pF @ 5.5V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : 6-WLCSP (1.47x1.47)
    Пакет / Дело : 6-SMD, No Lead
    Вы также можете быть заинтересованы в
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • RJL5012DPP-M0#T2

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220.

    • SSM3K7002BF,LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.