Diodes Incorporated - S1J-13-F

KEY Part #: K6457029

S1J-13-F Цены (доллары США) [2164846шт сток]

  • 1 pcs$0.01709
  • 5,000 pcs$0.01567
  • 10,000 pcs$0.01332
  • 25,000 pcs$0.01254
  • 50,000 pcs$0.01175
  • 125,000 pcs$0.01018

номер части:
S1J-13-F
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA. Rectifiers 600V 1A
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated S1J-13-F electronic components. S1J-13-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1J-13-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1J-13-F Атрибуты продукта

номер части : S1J-13-F
производитель : Diodes Incorporated
Описание : DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.1V @ 1A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 3µs
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AC, SMA
Комплект поставки устройства : SMA
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVH06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED