Infineon Technologies - BCR503E6393HTSA1

KEY Part #: K6527815

[2706шт сток]


    номер части:
    BCR503E6393HTSA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    TRANS PREBIAS PNP SOT23.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies BCR503E6393HTSA1 electronic components. BCR503E6393HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BCR503E6393HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BCR503E6393HTSA1 Атрибуты продукта

    номер части : BCR503E6393HTSA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : TRANS PREBIAS PNP SOT23
    Серии : -
    Состояние детали : Last Time Buy
    Тип Транзистора : NPN - Pre-Biased
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 500mA
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
    Резистор - База (R1) : 2.2 kOhms
    Резистор - база эмиттера (R2) : 2.2 kOhms
    Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 40 @ 50mA, 5V
    Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 100nA (ICBO)
    Частота - Переход : 100MHz
    Мощность - Макс : 330mW
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Комплект поставки устройства : SOT-23-3

    Вы также можете быть заинтересованы в