Micron Technology Inc. - MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C

KEY Part #: K937007

MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C Цены (доллары США) [15638шт сток]

  • 1 pcs$3.71458
  • 1,440 pcs$3.69610

номер части:
MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C
производитель:
Micron Technology Inc.
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM MOBILE DDR 512M 16MX32 FBGA
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Linear - Усилители - Инструментарий, OP Amp, Буфер, Аудио специального назначения, PMIC - моторные драйверы, контроллеры, Logic - Вентили и инверторы - многофункциональные,, Встроенный - Микроконтроллеры - Специфично для при, PMIC - Контроллеры питания через Ethernet (PoE), Logic - Буферы, Драйверы, Приемники, Приемопередат and Clock / Timing - Тактовые буферы, драйверы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Micron Technology Inc. MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C electronic components. MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C Атрибуты продукта

номер части : MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C
производитель : Micron Technology Inc.
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile LPDDR
Размер памяти : 512Mb (16M x 32)
Тактовая частота : 200MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 5.0ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -40°C ~ 105°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 90-VFBGA
Комплект поставки устройства : 90-VFBGA (8x13)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28HC256-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • W29N04GVBIAF

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8