Samsung Semiconductor - K4F6E3D4HB-MHCJ

KEY Part #: K7359765

[21953шт сток]


    номер части:
    K4F6E3D4HB-MHCJ
    производитель:
    Samsung Semiconductor
    Подробное описание:
    16 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: DDR3, DDR4, MODULE, LPDDR4, GDDR5, LPDDR4X, SLC Nand and HBM Flarebolt ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4F6E3D4HB-MHCJ electronic components. K4F6E3D4HB-MHCJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4F6E3D4HB-MHCJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4F6E3D4HB-MHCJ Атрибуты продукта

    номер части : K4F6E3D4HB-MHCJ
    производитель : Samsung Semiconductor
    Описание : 16 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    Серии : DDR3
    плотность : 16 Gb
    Org. : x32
    скорость : 3733 Mbps
    напряжение : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    Температура : -40 ~ 105 °C
    пакет : 200FBGA
    Статус продукта : Mass Production

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.