Diodes Incorporated - DMT10H015LFG-7

KEY Part #: K6402107

DMT10H015LFG-7 Цены (доллары США) [179158шт сток]

  • 1 pcs$0.20645
  • 2,000 pcs$0.18272

номер части:
DMT10H015LFG-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 10A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Модули питания драйверов, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMT10H015LFG-7 electronic components. DMT10H015LFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT10H015LFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT10H015LFG-7 Атрибуты продукта

номер части : DMT10H015LFG-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 100V 10A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A (Ta), 42A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 33.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1871pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2W (Ta), 35W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerDI3333-8
Пакет / Дело : 8-PowerWDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.