Microsemi Corporation - JANTX1N4122-1

KEY Part #: K6479706

JANTX1N4122-1 Цены (доллары США) [7890шт сток]

  • 1 pcs$4.12054
  • 10 pcs$3.70849
  • 25 pcs$3.37894
  • 100 pcs$3.04920
  • 250 pcs$2.80197
  • 500 pcs$2.55474
  • 1,000 pcs$2.22509

номер части:
JANTX1N4122-1
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE ZENER 36V 500MW DO35. Zener Diodes Zener Diodes
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N4122-1 electronic components. JANTX1N4122-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N4122-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N4122-1 Атрибуты продукта

номер части : JANTX1N4122-1
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Серии : Military, MIL-PRF-19500/435
Состояние детали : Active
Напряжение - стабилитрон (ном.) (Vz) : 36V
Толерантность : ±5%
Мощность - Макс : 500mW
Импеданс (Макс) (Zzt) : 200 Ohms
Ток - обратная утечка @ Vr : 10nA @ 27.4V
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.1V @ 200mA
Рабочая Температура : -65°C ~ 175°C
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AH, DO-35, Axial
Комплект поставки устройства : DO-35

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA