Infineon Technologies - BAS1602WH6327XTSA1

KEY Part #: K6444787

[2330шт сток]


    номер части:
    BAS1602WH6327XTSA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    DIODE GEN PURP 80V 200MA SCD80-2.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - РФ ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies BAS1602WH6327XTSA1 electronic components. BAS1602WH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS1602WH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BAS1602WH6327XTSA1 Атрибуты продукта

    номер части : BAS1602WH6327XTSA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : DIODE GEN PURP 80V 200MA SCD80-2
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Диодный Тип : Standard
    Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 80V
    Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 200mA (DC)
    Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.25V @ 150mA
    скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Обратное время восстановления (trr) : 4ns
    Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 75V
    Емкость @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : SC-80
    Комплект поставки устройства : SCD-80
    Рабочая температура - соединение : 150°C (Max)

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • US1GHE3/5AT

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.

    • SS16HE3/5AT

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC.

    • GI818-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC.

    • VS-4ESH02HM3/86A

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A.

    • S4PM-M3/86A

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A. Rectifiers 4.0 Amp 1000 Volt

    • SS10PH9-M3/86A

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10 Amp 90 Volt 200 Amp IFSM