Vishay Siliconix - SIHB120N60E-GE3

KEY Part #: K6397669

SIHB120N60E-GE3 Цены (доллары США) [16124шт сток]

  • 1 pcs$2.55606

номер части:
SIHB120N60E-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CHAN 650V D2PAK TO-263.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB120N60E-GE3 electronic components. SIHB120N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB120N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB120N60E-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHB120N60E-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CHAN 650V D2PAK TO-263
Серии : E
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 25A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1562pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 179W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.