Vishay Semiconductor Diodes Division - BYWE29-200-E3/45

KEY Part #: K6448721

BYWE29-200-E3/45 Цены (доллары США) [106274шт сток]

  • 1 pcs$0.34804
  • 3,000 pcs$0.13320

номер части:
BYWE29-200-E3/45
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYWE29-200-E3/45 electronic components. BYWE29-200-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYWE29-200-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYWE29-200-E3/45 Атрибуты продукта

номер части : BYWE29-200-E3/45
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 20A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 25ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2
Комплект поставки устройства : TO-220AC
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в