Texas Instruments - CSD17313Q2Q1T

KEY Part #: K6416443

CSD17313Q2Q1T Цены (доллары США) [384544шт сток]

  • 1 pcs$0.09619
  • 1,750 pcs$0.08638

номер части:
CSD17313Q2Q1T
производитель:
Texas Instruments
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Texas Instruments CSD17313Q2Q1T electronic components. CSD17313Q2Q1T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD17313Q2Q1T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17313Q2Q1T Атрибуты продукта

номер части : CSD17313Q2Q1T
производитель : Texas Instruments
Описание : MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Серии : NexFET™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : +10V, -8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 340pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 6-WSON (2x2)
Пакет / Дело : 6-WDFN Exposed Pad

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • FDD6685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 11A DPAK.