Vishay Siliconix - SI4835DDY-T1-GE3

KEY Part #: K6393484

SI4835DDY-T1-GE3 Цены (доллары США) [195156шт сток]

  • 1 pcs$0.18953
  • 2,500 pcs$0.16019

номер части:
SI4835DDY-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI4835DDY-T1-GE3 electronic components. SI4835DDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4835DDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4835DDY-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI4835DDY-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 13A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1960pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SO
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN2410L-G-P013

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN2410L-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • DKI06075

    Sanken

    MOSFET N-CH 60V 48A TO-252.

  • FDD1600N10ALZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3.

  • DKI10526

    Sanken

    MOSFET N-CH 100V 19A TO-252.

  • DKI06261

    Sanken

    MOSFET N-CH 60V 25A TO-252.