номер части :
FF11MR12W1M1B11BOMA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Состояние детали :
Active
Тип FET :
2 N-Channel (Dual)
Функция FET :
Silicon Carbide (SiC)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.55V @ 40mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
250nC @ 15V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
7950pF @ 800V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
Module