Diodes Incorporated - 1N4006G-T

KEY Part #: K6452367

1N4006G-T Цены (доллары США) [1383862шт сток]

  • 1 pcs$0.02673
  • 5,000 pcs$0.02428
  • 10,000 pcs$0.02158
  • 25,000 pcs$0.02023
  • 50,000 pcs$0.01794

номер части:
1N4006G-T
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41. Rectifiers 1.0A 800V
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated 1N4006G-T electronic components. 1N4006G-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4006G-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4006G-T Атрибуты продукта

номер части : 1N4006G-T
производитель : Diodes Incorporated
Описание : DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 1A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 2µs
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 800V
Емкость @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства : DO-41
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MBRD6100CT-TP

    Micro Commercial Co

    6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER

  • MBRD560TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 60V 5A DPAK.

  • GI751-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600. Rectifiers 6 Amp 100 Volt 400 Amp IFSM

  • GL41M-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM10-800-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated