Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETH0806-M3

KEY Part #: K6446888

VS-ETH0806-M3 Цены (доллары США) [83500шт сток]

  • 1 pcs$0.45991
  • 10 pcs$0.41308
  • 25 pcs$0.39201
  • 100 pcs$0.30457
  • 250 pcs$0.28473
  • 500 pcs$0.25162
  • 1,000 pcs$0.19865
  • 2,500 pcs$0.18540
  • 5,000 pcs$0.17657

номер части:
VS-ETH0806-M3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2. Rectifiers 8A 600V Hyperfast 21ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ETH0806-M3 electronic components. VS-ETH0806-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ETH0806-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETH0806-M3 Атрибуты продукта

номер части : VS-ETH0806-M3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
Серии : FRED Pt®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 2.65V @ 8A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 21ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 12µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2
Комплект поставки устройства : TO-220-2
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GPP60G-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60B-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • BYM07-200HE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • MBRB7H45-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB.

  • MBRB750HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 7.5A TO263AB.

  • MBRB7H35-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO263AB.