STMicroelectronics - STGWT30V60DF

KEY Part #: K6422587

STGWT30V60DF Цены (доллары США) [25071шт сток]

  • 1 pcs$1.64381
  • 10 pcs$1.47811
  • 100 pcs$1.21091
  • 500 pcs$0.97798
  • 1,000 pcs$0.82480

номер части:
STGWT30V60DF
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
IGBT 600V 60A 258W TO3P-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STGWT30V60DF electronic components. STGWT30V60DF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGWT30V60DF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGWT30V60DF Атрибуты продукта

номер части : STGWT30V60DF
производитель : STMicroelectronics
Описание : IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 60A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 120A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 30A
Мощность - Макс : 258W
Энергия переключения : 383µJ (on), 233µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 163nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 45ns/189ns
Условия испытаний : 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 53ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3
Комплект поставки устройства : TO-3P

Вы также можете быть заинтересованы в