Infineon Technologies - AUIRFB8405

KEY Part #: K6399743

AUIRFB8405 Цены (доллары США) [31069шт сток]

  • 1 pcs$1.32651
  • 1,000 pcs$0.54083

номер части:
AUIRFB8405
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFB8405 electronic components. AUIRFB8405 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFB8405, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFB8405 Атрибуты продукта

номер части : AUIRFB8405
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 161nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5193pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 163W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в