IXYS - IXKG25N80C

KEY Part #: K6405683

IXKG25N80C Цены (доллары США) [4446шт сток]

  • 1 pcs$10.77064
  • 25 pcs$10.71706

номер части:
IXKG25N80C
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXKG25N80C electronic components. IXKG25N80C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXKG25N80C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXKG25N80C Атрибуты продукта

номер части : IXKG25N80C
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 25A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 166nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : ISO264™
Пакет / Дело : ISO264™

Вы также можете быть заинтересованы в