Infineon Technologies - BSC011N03LSTATMA1

KEY Part #: K6418840

BSC011N03LSTATMA1 Цены (доллары США) [79801шт сток]

  • 1 pcs$0.48998

номер части:
BSC011N03LSTATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
DIFFERENTIATED MOSFETS.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSC011N03LSTATMA1 electronic components. BSC011N03LSTATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC011N03LSTATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC011N03LSTATMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSC011N03LSTATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : DIFFERENTIATED MOSFETS
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 39A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 48nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6300pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3W (Ta), 115W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8 FL
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.