Vishay Semiconductor Diodes Division - ESH2C-M3/52T

KEY Part #: K6457876

ESH2C-M3/52T Цены (доллары США) [730521шт сток]

  • 1 pcs$0.05063
  • 12,000 pcs$0.04588

номер части:
ESH2C-M3/52T
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,25ns,UF Rect, SMD
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Модули питания драйверов, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH2C-M3/52T electronic components. ESH2C-M3/52T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH2C-M3/52T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH2C-M3/52T Атрибуты продукта

номер части : ESH2C-M3/52T
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 150V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 930mV @ 2A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 35ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 2µA @ 150V
Емкость @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AA, SMB
Комплект поставки устройства : DO-214AA (SMB)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns