Vishay Semiconductor Diodes Division - UG8FTHE3/45

KEY Part #: K6445597

UG8FTHE3/45 Цены (доллары США) [2053шт сток]

  • 1,000 pcs$0.24916

номер части:
UG8FTHE3/45
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Модули питания драйверов and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UG8FTHE3/45 electronic components. UG8FTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UG8FTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UG8FTHE3/45 Атрибуты продукта

номер части : UG8FTHE3/45
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC
Серии : -
Состояние детали : Obsolete
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 300V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.25V @ 8A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 300V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2
Комплект поставки устройства : TO-220AC
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

  • IDB09E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263.