ON Semiconductor - NGTB25N120IHLWG

KEY Part #: K6424814

NGTB25N120IHLWG Цены (доллары США) [30561шт сток]

  • 1 pcs$1.34854
  • 10 pcs$1.21148
  • 100 pcs$0.94169
  • 500 pcs$0.80162
  • 1,000 pcs$0.67607

номер части:
NGTB25N120IHLWG
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
IGBT 1200V 50A 192W TO247-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NGTB25N120IHLWG electronic components. NGTB25N120IHLWG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTB25N120IHLWG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTB25N120IHLWG Атрибуты продукта

номер части : NGTB25N120IHLWG
производитель : ON Semiconductor
Описание : IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
Серии : -
Состояние детали : Last Time Buy
Тип IGBT : -
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 50A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 200A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 25A
Мощность - Макс : 192W
Энергия переключения : 800µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 200nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : -/235ns
Условия испытаний : 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : -
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : TO-247

Вы также можете быть заинтересованы в