BYG21MHE3_A/I Цены (доллары США) [606690шт сток]
- 1 pcs$0.06097
- 7,500 pcs$0.05574
- номер части:
- BYG21MHE3_A/I
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5A,1000V,120NS AEC-Q101 Qualified
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - IGBT - Single ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG21MHE3_A/I electronic components. BYG21MHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG21MHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG21MHE3_A/I Атрибуты продукта
номер части :
BYG21MHE3_A/I
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Серии :
Automotive, AEC-Q101
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Avalanche
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1000V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1.5A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.6V @ 1.5A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
120ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
1µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-214AC, SMA
Комплект поставки устройства :
DO-214AC (SMA)
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast
-
BAV17-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 25 Volt 625mA
-
BAS34-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
-
BAT43-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM
-
BAV18-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 60 Volt 625mA
-
BAT42-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM
Горячие части
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08