Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. IS42S83200G-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S83200G-6TL

KEY Part #: K938127

IS42S83200G-6TL Цены (доллары США) [19294шт сток]

  • 1 pcs$2.84145
  • 216 pcs$2.82732
номер части:
IS42S83200G-6TL
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM 256M 32Mx8 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - текущее регулирование / управление, Clock / Timing - Тактовые генераторы, ФАПЧ, синтез, Встроенные - ПЛИС (программируемый полевой вентиль, объем памяти, PMIC - Регуляторы напряжения - Линейные регуляторы, Логика - Компараторы, Логика - Защелки and Встроенный - Микроконтроллеры - Специфично для при ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-6TL electronic components. IS42S83200G-6TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S83200G-6TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42S83200G-6TL Атрибуты продукта

номер части : IS42S83200G-6TL
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM
Размер памяти : 256Mb (32M x 8)
Тактовая частота : 166MHz
Время цикла записи - слово, страница : -
Время доступа : 5.4ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 3V ~ 3.6V
Рабочая Температура : 0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Комплект поставки устройства : 54-TSOP II

Последние новости

Silicom MinnowBoard Turbot
Вы также можете быть заинтересованы в
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Горячие части