ON Semiconductor - MVGSF1N03LT1G

KEY Part #: K6421324

MVGSF1N03LT1G Цены (доллары США) [453305шт сток]

  • 1 pcs$0.08160
  • 3,000 pcs$0.07418

номер части:
MVGSF1N03LT1G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor MVGSF1N03LT1G electronic components. MVGSF1N03LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MVGSF1N03LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MVGSF1N03LT1G Атрибуты продукта

номер части : MVGSF1N03LT1G
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.6A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 140pF @ 5V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 420mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в