Alliance Memory, Inc. - AS4C64M8D1-5TIN

KEY Part #: K939157

AS4C64M8D1-5TIN Цены (доллары США) [23793шт сток]

  • 1 pcs$1.92586
  • 10 pcs$1.74826
  • 25 pcs$1.71027
  • 50 pcs$1.70084
  • 100 pcs$1.52535
  • 250 pcs$1.51967
  • 500 pcs$1.46370
  • 1,000 pcs$1.39161

номер части:
AS4C64M8D1-5TIN
производитель:
Alliance Memory, Inc.
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Интерфейс - прямой цифровой синтез (DDS), Логика - Счетчики, Делители, Специализированные микросхемы, Интерфейс - аналоговые переключатели - специальног, Часы / Время - Линии задержки, Clock / Timing - Программируемые таймеры и генерат, Встроенный - Микроконтроллеры - Специфично для при and Логика - Специальность Логика ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5TIN electronic components. AS4C64M8D1-5TIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M8D1-5TIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M8D1-5TIN Атрибуты продукта

номер части : AS4C64M8D1-5TIN
производитель : Alliance Memory, Inc.
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR
Размер памяти : 512Mb (64M x 8)
Тактовая частота : 200MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 700ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 2.3V ~ 2.7V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Комплект поставки устройства : 66-TSOP II

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 6116SA15TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA. DRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, ALL

  • S25FS256SDSNFI001

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 256M SPI 80MHZ 8WSON. NOR Flash 256Mb, 1.8V, 80Mhz DDR

  • MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP. NOR Flash EW-SERIES FLASH NOR SLC 32MX16 TSOP

  • RMLV0416EGBG-4S2#KC0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA. SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, FBGA, 45NS, T+R

  • R1LP0408DSP-5SI#S0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP. SRAM 4Mb 5V Adv. SRAM x8, SOP, 55NS, T+R